ESD失效的形式 對電子元器件的破壞有哪些?

日期:2022-07-20 14:57:51 瀏覽量:2156 標簽: 電子元器件 ESD失效

靜電和靜電放電(ESD)在我們的日常生活中無處不在,尤其是當手持電子設備向輕薄小巧方向發(fā)展而且產(chǎn)品功能不斷增加時,它們的輸入/輸出端口也隨之增多,導致靜電放電進入系統(tǒng)并干擾或損壞集成電路。半導體材料器件對于生產(chǎn)、組裝和維修等過程環(huán)境的靜電控制要求越來越高。而靜電放電對器件可靠性的危害變得越來越顯著。為幫助大家深入了解,以下內(nèi)容由創(chuàng)芯檢測網(wǎng)整理,提供給您參考。

ESD失效的形式 對電子元器件的破壞有哪些?

 一、ESD對電子器件侵害方式如下所示

1)靜電源直接對電子器件放電

ESD事件常常發(fā)生在帶電導體(包括人體)對ESDS的放電過程中。一般的靜電危害是人體或帶電導體直接對ESDS放電造成。

2)帶電器件對其他導體的靜電放電

當靜電放電敏感器件在操作過程中,或者與包裝材料、機器表面接觸后,就會積累靜電荷。當器件在包裝盒移動或震動時就會發(fā)生靜電放電。這種放電情況,涉及的電容和能量不同于人體對ESDS器件的放電情況。在某些情況下,CDM事件比HBN事件所造成的危害更大。

3)電場感應放電

感應場可以直接或間接對地造成危害。因為任何帶電體周圍都存在靜電場。如果ESDS器件進入靜電場范圍,就會因為感應而帶電。如果器件在電場區(qū)域內(nèi)接地,電荷轉移到地的過程稱為CDM事件。

二、ESD靜電損傷的兩種失效形式

1)硬損傷:又稱“突發(fā)性完全失效”、“一次性損壞”,約占10%。表現(xiàn)為器件電參數(shù)突然劣化,失去原有功能。主要原因是靜電放電造成過壓使得介質(zhì)被擊穿,或過流使得內(nèi)部電路金屬導線熔斷、硅片局部融化等。硬損傷可通過常規(guī)的性能測試手段及時發(fā)現(xiàn),相對軟失效而言危害要小得多。

2)軟損傷:又稱“潛在性緩慢失效”、“多次損傷累積后失效”,約占90%。受到軟損傷的器件,雖然當時各類電參數(shù)仍合格,然而其使用壽命卻大大縮短了。含有這些器件的產(chǎn)品或系統(tǒng),可靠性變差,可能會在后續(xù)過程中(直至最終用戶)繼續(xù)遭受ESD軟損傷或其它過應力損傷積累而過早地失效。由于軟損傷是潛在的,運用目前的技術還很難證明或檢測出來,特別是器件被裝入整機產(chǎn)品之后,因此具有更大的危害性。這些產(chǎn)品流入市場后的維護成本和造成的其它損失,將比在生產(chǎn)中發(fā)生的直接損失要放大幾十甚至上百倍!多數(shù)未采取保護措施的元器件靜電放電敏感度都是很低,很多在幾百伏的范圍,如MOS單管在100-200V之間,而且這些單管是不能增加保護電路的;一些電路尤其是CMOS 。

IC采取了靜電保護設計,雖然明顯的提高抗ESD水平,但大多數(shù)也只能達到2000-4000V,而在實際環(huán)境中產(chǎn)生的靜電電壓則可能達到上萬伏。因此,沒有防護的元器件很容易受到靜電損傷。隨著元器件尺寸的越來減小,這種損傷就會越來越多。所以,絕大多數(shù)元器件是靜電敏感器件,需要在制造、運輸和使用過程中采取防靜電保護措施。

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