材料分析
雙束聚焦離子束
描述： Dual Beam FIB(雙束聚焦離子束)機(jī)臺(tái)能在使用離子束切割樣品的同時(shí)，以電子束對(duì)樣品斷面進(jìn)行觀察，亦可進(jìn)行EDX成份分析。
Dual Beam FIB具備超高分辨率的離子束及電子束，能針對(duì)樣品的微細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行奈米尺度的定位及觀察。離子束最大電流可達(dá)65nA，極佳的切削速度能大幅縮短分析的時(shí)長(zhǎng)，降低實(shí)驗(yàn)的成本。
應(yīng)用范圍：
半導(dǎo)體組件失效分析結(jié)構(gòu)分析(能力可達(dá)14nm高階制程)；
半導(dǎo)體生產(chǎn)線制程異常分析；
磊晶與薄膜結(jié)構(gòu)分析；
穿透式電子顯微鏡試片制作。
檢測(cè)圖片：
TEM樣品制備：最薄可制備出厚度約15nm之TEM試片。
銅晶粒分析：采用特殊樣品制備手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大范圍銅晶粒影像。
EDS分析：75mm2大面積EDS偵測(cè)器，可達(dá)極佳的空間分辨率，實(shí)現(xiàn)邊切、邊拍、邊分析的高階應(yīng)用。
橫截面分析：Helios NanoLab具有極佳的E-beam分辨率，標(biāo)示處3nm的Void與Gate Oxide均清晰可見。
檢測(cè)設(shè)備能量圖片：
FEI Helios NanoLab 660
樣品最大尺寸：150mm；
配有75mm2 SDD EDS偵測(cè)器，可進(jìn)行實(shí)時(shí)EDS分析；
配有MultiChem氣體系統(tǒng)，可通入六種沉積或stain氣體；
觀測(cè)范圍寬度超過100um，或深度超過50um時(shí)，建議可改用切削速度更快速的Plasma FIB。
