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失效分析
- 非破壞分析
- · 3D數(shù)碼顯微鏡 · X-Ray檢測(cè) · 超聲波掃描(SAT檢測(cè))
- 電性檢測(cè)
- · 半導(dǎo)體組件參數(shù)分析 · 電特性測(cè)試 · 點(diǎn)針信號(hào)量測(cè) · 靜電放電/過(guò)度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
- 失效點(diǎn)定位
- · 砷化鎵銦微光顯微鏡 · 激光束電阻異常偵測(cè) · Thermal EMMI(InSb)
- 破壞性物理分析
- · 開(kāi)蓋測(cè)試 · 芯片去層 · 切片測(cè)試
- 物性分析
- · 剖面/晶背研磨 · 離子束剖面研磨(CP) · 掃描式電子顯微鏡(SEM)
- 工程樣品封裝服務(wù)
- · 晶圓劃片 · 芯片打線/封裝
- 競(jìng)爭(zhēng)力分析
- · 芯片結(jié)構(gòu)分析
芯片結(jié)構(gòu)分析
描述:
芯片結(jié)構(gòu)分析屬于失效分析的核心手段, 通過(guò)芯片的制程工藝原理輔助失效分析案件來(lái)完成最終失效機(jī)理的確認(rèn)以及失效原因。
應(yīng)用范圍:
芯片封裝分析:封裝形式、外觀、X-ray內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析;
芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu):去封膠后的芯片外觀分析、金屬層材質(zhì)、工藝分析;
芯片封裝體參數(shù)量測(cè):封裝尺寸、導(dǎo)線架厚度、焊線寬度、焊線弧高(loop height)、焊線材質(zhì);
BGA載板之電路布局結(jié)構(gòu)與層數(shù)分析;
檢測(cè)圖片:
芯片制程分析:
檢測(cè)優(yōu)勢(shì):
1、針對(duì)市場(chǎng)上先進(jìn)芯片組件、能夠高效的完成對(duì)先進(jìn)芯片封裝與載板各層相關(guān)的結(jié)構(gòu)、材料、制程技術(shù)、尺寸進(jìn)行分析,及時(shí)了解市場(chǎng)態(tài)勢(shì),以做好專(zhuān)利回避,并掌握先機(jī);
2、實(shí)驗(yàn)室分析人員均為微電子專(zhuān)業(yè)資深工程師進(jìn)行詳細(xì)專(zhuān)業(yè)的解析。