失效分析
靜電放電/過度電性應(yīng)力/閂鎖試驗(yàn)
描述： ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”。電荷從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移到另一個(gè)物體。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦等。靜電的特點(diǎn)是高電壓、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)。
EOS (Electrical Over stress)指所有的過度電性應(yīng)力。當(dāng)外界電流或電壓超過器件的最大規(guī)范條件時(shí)，器件性能會(huì)減弱甚至損壞。
Latch up 是指cmos晶片中，在電源power VDD和地線 GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產(chǎn)生的一低阻抗通路。
通過測(cè)試了解芯片組件脆弱點(diǎn)與靜電承受度，作為后續(xù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、芯片電路設(shè)計(jì)調(diào)整、甚至后續(xù)RMA失效分析的依據(jù)。
應(yīng)用范圍：
芯片零部件與成品模塊。
測(cè)試模式：
人體放電模式(Human Body Mode)測(cè)試；
機(jī)器放電模式(Machine Mode) 測(cè)試；
組件充/放電模式(Charged Device Mode) 測(cè)試；
閂鎖效應(yīng)(Latch-up) 測(cè)試；
靜電放電閂鎖測(cè)式(Transient-Induced Latch up)；
系統(tǒng)級(jí)靜電放電模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST)；
測(cè)試ESD I-V Curve量測(cè)；
過度電性應(yīng)力EOS (Electrical Over stress)測(cè)試。
檢測(cè)設(shè)備圖片：
靜電槍 浪涌測(cè)試儀
檢測(cè)優(yōu)勢(shì)：
1、靜電測(cè)試儀和浪涌測(cè)試儀能快速，高效的對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行反向驗(yàn)證；
2、分析周期更短、效率更快。
