芯片電路修改/點(diǎn)針墊偵錯(cuò)

描述： 聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，簡(jiǎn)稱FIB)電路修改，原理是利用鎵離子撞擊樣品表面，搭配有機(jī)氣體進(jìn)行有效的選擇性蝕刻(切斷電路)、沉積導(dǎo)體或非導(dǎo)體(新接電路)。

電路修改(FIB circuit) 通過聚焦式離子束顯微鏡(Focus Ion Beam)，即可提供芯片設(shè)計(jì)者直接修改芯片電路，無(wú)需重復(fù)改光罩重新投片，不僅可降低經(jīng)費(fèi)，更可加速芯片設(shè)計(jì)原型(Prototype)的驗(yàn)證與量產(chǎn)上市時(shí)間(Time-to-market)。

點(diǎn)針墊偵錯(cuò) (CAD Probe Pad) 在芯片上做信號(hào)擷取點(diǎn)，通過FIB將芯片設(shè)計(jì)者欲量測(cè)的信號(hào)點(diǎn)引出到芯片表面，并利用機(jī)械式探針(Mechanical Prober) 擷取芯片內(nèi)部信號(hào)。

晶背電路修改 隨著覆晶封裝基材限制，與先進(jìn)制程演持續(xù)進(jìn)到7nm，金屬繞線層增加以及更為復(fù)雜緊密的電路布局，從晶背(Silicon)進(jìn)行電路修改提升可行性與成功率。

應(yīng)用范圍：

可達(dá)4.5nm分辨率，可執(zhí)行16/14/10nm制程之線路修補(bǔ)；

最大可放置8吋晶圓；

支持 Knights Merlin CAD Navigation 軟件；

高準(zhǔn)確度雷射導(dǎo)引Stage；

內(nèi)建紅外線IR顯微鏡可觀察CMP層及絕緣硅層；

金屬聯(lián)機(jī)材質(zhì)有鎢(阻值較低)及白金(速度較快)兩種選擇；

建置FEI DE/DX蝕刻氣體，應(yīng)用于高深寬比、緊密電路。

檢測(cè)圖片：

芯片正面施作修改：

FIB點(diǎn)針墊偵錯(cuò)：

復(fù)雜電路施工：

利用FIB在芯片內(nèi)部加電阻：

晶背電路修改：

檢測(cè)設(shè)備能量：

提升電路修改良率建議：

去封膠、打線或封裝后，先回測(cè)再進(jìn)行FIB；

同一顆芯片上執(zhí)行越多的修改內(nèi)容，F(xiàn)ail風(fēng)險(xiǎn)會(huì)越高；

FIB聯(lián)機(jī)的阻值較原芯片聯(lián)機(jī)要高，若有低電阻聯(lián)機(jī)過高電流需求，需先注明；

提供GDS II以利定位(局部區(qū)域或?qū)訑?shù)即可)作業(yè)，有助良率提升。