匯總:半導(dǎo)體失效分析測試的詳細(xì)步驟
日期:2021-04-26 16:29:00 瀏覽量:3770 標(biāo)簽: 半導(dǎo)體失效分析 失效分析
失效分析樣品準(zhǔn)備:失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。
常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下:
一、開蓋decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會(huì)影響對芯片的保護(hù))后續(xù)試驗(yàn)。
1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等
2.樣品減?。ㄌ沾?,金屬除外)
3.激光打標(biāo)
4.芯片開封(正面/背面)
5.IC蝕刻,塑封體去除
二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點(diǎn)觀察區(qū)域,精度。
1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況
3.觀測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝
缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實(shí)驗(yàn)人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。
1.Open/Short Test
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage(漏電)Test
四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測試,可以連接各種源表,確認(rèn)加電要求,若實(shí)驗(yàn)室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。
1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、
Hot Carriers Effect、ESD等問題
五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點(diǎn)觀察的,標(biāo)清切點(diǎn)要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。
1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證
2.Cross-Section截面分析
3.Probing Pad
4.定點(diǎn)切割
六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導(dǎo)電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺(tái)1-3cm左右,太大的樣品放不進(jìn)去,也影像定位,導(dǎo)電性好的樣品分析較快,導(dǎo)電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。
1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
4.納米尺寸量測及標(biāo)示
七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。
1.微區(qū)成分定性分析
八、Probe:寫清樣品測試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細(xì),不易對樣品造成二次損傷。
1.微小連接點(diǎn)信號(hào)引出
2.失效分析失效確認(rèn)
3.FIB電路修改后電學(xué)特性確認(rèn)
4.晶圓可靠性驗(yàn)證
九、OM:寫清樣品情況,對放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。
1.樣品外觀、形貌檢測
2.制備樣片的金相顯微分析
3.各種缺陷的查找
4.晶體管點(diǎn)焊、檢查
十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。
1.用于對使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢
2.器件表面圖形的刻蝕。