砷化鎵銦微光顯微鏡

描述： 

砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。區(qū)別在于InGaAs可偵測(cè)的波長(zhǎng)較長(zhǎng)，范圍約在900nm到1600nm之間，等同于紅外線的波長(zhǎng)區(qū)， EMMI則是在350nm到1100nm。InGaAs相較EMMI，更適用在檢測(cè)先進(jìn)制程組件的缺陷，原因在于尺寸小的組件，相對(duì)操作電壓也隨之降低，使得熱載子所激發(fā)出的光波長(zhǎng)變得較長(zhǎng)，而InGaAs就非常適合用于偵測(cè)先進(jìn)制程產(chǎn)品的亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)定位。

應(yīng)用范圍：

半導(dǎo)體失效分析、通訊領(lǐng)域中光斑分析、光學(xué)相控陣等。

檢測(cè)圖片：

InGaAs hot spot：偵測(cè)到die內(nèi)部電路局部有異常點(diǎn)，便于失效分析后續(xù)去層和FIB分析。

EMMI 與InGaAs比較，相同熱點(diǎn)、亮點(diǎn)(Hot Spot)的狀況下，EMMI與InGaAs偵測(cè)的強(qiáng)度落差,InGaAs 在失效分析領(lǐng)域中更適合偵測(cè)芯片的微小漏電，定位更精確。

檢測(cè)設(shè)備：

檢測(cè)優(yōu)勢(shì)：

偵測(cè) 缺陷(Defect)時(shí)間比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。

可偵測(cè)到微小電流及先進(jìn)制程的缺陷(Defect)。

可偵測(cè)到較輕微的 Metal Bridge。

針對(duì) 芯片 背面(Back-Side)的定位分析，紅外光對(duì)硅基板穿透率較高。 偵測(cè)的到亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)情況：

接面漏電(Junction Leakage)

Contact Spiking

熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)

閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)

閘極氧化層缺陷或漏電(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N Current)

多晶硅的細(xì)絲殘留 (Poly-Silicon Filaments)

硅基底損傷( Substrate Damage)

機(jī)械性損傷(Mechanical Damage)

接面崩潰( Junction Avalanche)等