芯片失效分析時需分析內(nèi)部的芯片、打線、組件時，因封裝膠體阻擋觀察，利用「laser蝕刻」及「濕式蝕刻」兩種搭配使用，開蓋(Decap)、去膠(去除封膠，Compound Removal)，使封裝體內(nèi)包覆的對象裸露出來，以便后續(xù)相關(guān)實(shí)驗(yàn)處理、觀察。芯片開封相當(dāng)于是給芯片做外科手術(shù)，通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。本文收集整理了一些芯片開蓋檢測相關(guān)資料，期望本文能對各位讀者有比較大的參閱價值。
開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。
開封范圍：普通封裝 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。
開封方法：一般的有化學(xué)(Chemical)開封、機(jī)械(Mechanical)開封、激光(Laser)開封、Plasma Decap
開封實(shí)驗(yàn)室：Decap實(shí)驗(yàn)室可以處理幾乎所有的IC封裝形式（COB.QFP.DIP SOT 等）、打線類型（Au Cu Ag）。
芯片開蓋的優(yōu)缺點(diǎn)分析
芯片開蓋檢測方法的優(yōu)點(diǎn)：可以快速確認(rèn)是否為原廠生產(chǎn)。
芯片開蓋檢測方法的缺點(diǎn)：破壞性試驗(yàn)，開蓋后的IC就不能再用了；未含原廠標(biāo)識的芯片無法進(jìn)行開蓋確認(rèn)；開蓋需要專門的機(jī)器設(shè)備和化學(xué)藥品，一般只能由專業(yè)的機(jī)構(gòu)來完成。
高分子的樹脂體在熱的濃硝酸（98%）或濃硫酸作用下，被腐蝕變成易溶于丙酮的低分子化合物，在超聲作用下，低分子化合物被清洗掉，從而露出芯片表層。
開封方法一：取一塊不銹鋼板，上鋪一層薄薄的黃沙（也可不加沙產(chǎn)品直接在鋼板上加熱），放在電爐上加熱，砂溫要達(dá)100-1５0度，將產(chǎn)品放在砂子上，芯片正面方向向上，用吸管吸取少量的發(fā)煙硝酸（濃度>98%）。滴在產(chǎn)品表面，這時樹脂表面起化學(xué)反應(yīng)，且冒出氣泡，待反應(yīng)稍止再滴，這樣連滴5-10滴后，用鑷子夾住，放入盛有acetone，CH3COCH3的燒杯中，在超聲機(jī)中清洗2-5分鐘后，取出再滴，如此反復(fù)，直到露出芯片為止，最后必須以干凈的acetone，CH3COCH3反復(fù)清洗確保芯片表面無殘留物。
芯片開封方法二：將所有產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點(diǎn)是操作較危險，必須要掌握要領(lǐng)。
_20210924154603_735.jpg "開蓋檢測:芯片開封具體流程怎么操作？")
芯片開封注意事項(xiàng)：
所有一切操作均應(yīng)在通風(fēng)柜中進(jìn)行，且要戴好防酸手套。
產(chǎn)品開帽越到最后越要少滴酸，勤清洗，以避免過腐蝕。
清洗過程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面，以免擦傷芯片和金絲。
根據(jù)產(chǎn)品或分析要求有的開帽后要露出芯片下面的導(dǎo)電膠.,或者第二點(diǎn).
另外，有的情況下要將已開帽產(chǎn)品按排重測。此時應(yīng)首先放在80倍顯微鏡下觀察芯片上金絲是否斷，塌絲，如無則用刀片刮去管腳上黑膜后送測。
注意控制開帽溫度不要太高。
分析中常用酸：
濃硫酸:這里指98%的濃硫酸,它有強(qiáng)烈的脫水性,吸水性和氧化性。開帽時用來一次性煮大量的產(chǎn)品，這里利用了它的脫水性和強(qiáng)氧化性。
濃鹽酸：指37%（V/V）的鹽酸，有強(qiáng)烈的揮發(fā)性，氧化性。分析中用來去除芯片上的鋁層。
發(fā)煙硝酸:指濃度為98%（V/V）的硝酸。用來開帽。有強(qiáng)烈的揮發(fā)性，氧化性，因溶有NO2而呈紅褐色。
王水：指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來腐金球，因它腐蝕性很強(qiáng)可腐蝕金。
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