元器件檢測 電子器件失效分析

隨著人們對電子產(chǎn)品質(zhì)量可靠性的要求不斷增加，電子元器件的可靠性不斷引起人們的關(guān)注，如何提高可靠性成為電子元器件制造的熱點問題。為幫助大家深入了解，本文將對電子器件失效分析的相關(guān)知識予以匯總。如果您對本文即將要涉及的內(nèi)容感興趣的話，那就繼續(xù)往下閱讀吧。

可靠性工作的目的不僅是為了了解、評價電子元器件的可靠性水平，更重要的是要改進、提高電子元器件的可靠性。所以，在從使用現(xiàn)場或可靠性試驗中獲得失效器件后，必須對它進行各種測試、分析，尋找、確定失效的原因，將分析結(jié)果反饋給設(shè)計、制造、管理等有關(guān)部門，采取針對性強的有效糾正措施，以改進、提高器件的可靠性。這種測試分析，尋找失效原因或機理的過程，就是失效分析。

失效分析對電子元器件失效機理、原因的診斷過程，是提高電子元器件可靠性的必由之路。元器件由設(shè)計到生產(chǎn)到應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，都有可能失效，從而失效分析貫穿于電子元器件的整個壽命周期。因此，需要找出其失效產(chǎn)生原因，確定失效模式，并提出糾正措施，防止相同失效模式和失效機理在每個元器件上重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件的可靠性。

歸納起來，失效分析的意義有以下幾點：

1、通過失效分析得到改進設(shè)計、工藝或應(yīng)用的理論和思想。

2、通過了解引起失效的物理現(xiàn)象得到預(yù)測可靠性模型公式。

3、為可靠性試驗條件提供理論依據(jù)和實際分析手段。

4、在處理工程遇到的元器件問題時，為是否要整批不用提供決策依據(jù)。

5、通過實施失效分析的糾正措施可以提高成品率和可靠性，減小系統(tǒng)試驗和運行工作時的故障，得到明顯的經(jīng)濟效益。

失效的分類

在實際使用中，可以根據(jù)需要對失效做適當?shù)姆诸悺０词Ｊ?，可以分為開路、短路、無功能、特性退化（劣化）、重測合格；按失效原因，可以分成誤用失效、本質(zhì)失效、早期失效、偶然失效、耗損失效、自然失效；按失效程度，可分為完全失效、部分（局部）失效；按失效時間特性程度及時間特性的組合，可以分成突然失效、漸變失效、間隙失效、穩(wěn)定失效、突變失效、退化失效、可恢復(fù)性失效；按失效后果的嚴重性，可以分為致命失效、嚴重失效、輕度失效；按失效的關(guān)聯(lián)性和獨立性，可以分為關(guān)聯(lián)失效、非關(guān)聯(lián)失效、獨立失效、從屬失效；按失效的場合，可分為試驗失效、現(xiàn)場失效（現(xiàn)場失效可以再分為調(diào)試失效、運行失效）；按失效的外部表現(xiàn)，可以分為明顯失效、隱蔽失效。

失效機理

電子元器件的失效主要是在產(chǎn)品的制造、試驗、運輸、存儲和使用等過程中發(fā)生的，與原材料、設(shè)計、制造、使用密切相關(guān)。電子元器件的種類很多，相應(yīng)的失效模式和機理也很多。失效機理是器件失效的實質(zhì)原因，說明器件是如何失效的，即引起器件失效的物理化學(xué)過程，但與此相對的是它遲早也要表現(xiàn)出的一系列宏觀性能、性質(zhì)變化，如疲勞、腐蝕和過應(yīng)力等。

電子元器件的主要失效機理有：

（1）過應(yīng)力（EOS）：是指元器件承受的電流、電壓應(yīng)力或功率超過其允許的最大范圍。

（2）靜電損傷（ESD）：電子器件在加工成產(chǎn)、組裝、貯存以及運輸過程中，可能與帶靜電的容器、測試設(shè)備及操作人員相接觸，所帶靜電經(jīng)過器件引腳放電到地，使器件收到損傷或失效。

（3）閂鎖效應(yīng)（latch-up）：MOS電路中由于寄生PNPN晶體管的存在而呈現(xiàn)一種低阻狀態(tài)，這種低阻狀態(tài)在觸發(fā)條件去除或終止后仍會存在

（4）電遷移（EM）：當器件工作是，金屬互聯(lián)線內(nèi)有一定的電流通過，金屬離子會沿導(dǎo)體產(chǎn)生質(zhì)量的運輸，其結(jié)果會使導(dǎo)體的某些部位出現(xiàn)空洞或晶須。

（5）熱載流子效應(yīng)（HC）：熱載流子是指能量比費米能級大幾個kT以上的載流子。這些載流子與晶格不處于熱平衡狀態(tài)，當其能量達到或超過Si-SiO2界面勢壘時（對電子注入為3.2eV，對空穴注入為4.5eV）便會注入到氧化層中，產(chǎn)生界面態(tài)、氧化層陷阱或被陷阱所俘獲，使氧化層電荷增加或波動不穩(wěn)，這就是熱載流子效應(yīng)。

（6）柵氧擊穿：在MOS器件及其電路中，柵氧化層缺陷會導(dǎo)致柵氧漏電，漏電增加到一定程度即構(gòu)成擊穿。

（7）與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）：施加的電場低于柵氧的本征擊穿強度，但經(jīng)歷一定的時間后仍會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這是由于施加應(yīng)力的過程中，氧化層內(nèi)產(chǎn)生并聚集了缺陷的原因。

（8）由于金-鋁之間的化學(xué)勢不同，經(jīng)長期使用或200℃以上的高溫存儲后，會產(chǎn)生多種金屬間化合物，如紫斑、白斑等。使鋁層變薄、接觸電阻增加，最后導(dǎo)致開路。在300℃高溫下還會產(chǎn)生空洞，即柯肯德爾效應(yīng)，這種效應(yīng)是高溫下金向鋁中迅速擴散并形成化合物，在鍵合點四周出現(xiàn)環(huán)形空間。使鋁膜部分或全部脫離，形成高阻或開路。

（9）“爆米花效應(yīng)”：塑封元器件塑封材料內(nèi)的水汽在高溫下受熱發(fā)生膨脹，使塑封料與金屬框架和芯片間發(fā)生分層效應(yīng)，拉斷鍵合絲，從而發(fā)生開路失效。

失效分析技術(shù)

失效分析技術(shù)是失效分析說使用的手段和方法，它主要包括六大方面的內(nèi)容：失效定位技術(shù)；樣品制備技術(shù)；顯微分析技術(shù)；應(yīng)力驗證技術(shù)；電子分析技術(shù)；成份分析技術(shù)。

1、失效定位技術(shù)

失效定位技術(shù)的主要目的是確定檢測目標的失效部位，隨著現(xiàn)代集成電路及電子元器件的復(fù)雜化，失效定位技術(shù)就顯得尤為重要。失效定位技術(shù)有多種方法，其中無需開封即可進行的無損檢測有X-ray，SAM等。X-ray可用于觀察元器件及多層印刷電路板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)引線開路或短路，粘接缺陷，焊點缺陷，封裝裂紋，空洞、橋連、立碑及器件漏裝等缺陷。SAM則可觀察到材料內(nèi)部裂紋，分層缺陷，空洞、氣泡、空隙等。若X-ray，SAM不能探測到失效部位，則需要對元器件進行開封處理，而后可進行其他方法的失效定位，如顯微檢查。

2、樣品制備技術(shù)

解決大部分失效分析，都需要采用解剖分析技術(shù)，即對樣品的剖層分析，它不對觀察和測試部分存在破壞。樣品的制備步驟一般包括：打開封裝、去鈍化層，對于多層結(jié)構(gòu)芯片來說，還要去層間介質(zhì)。打開封裝可以使用機械開封或化學(xué)開封方法。去鈍化層可使用化學(xué)腐蝕或等離子體腐蝕（如ICP、RIE）的方法，或FIB等。

3、顯微分析技術(shù)

失效原因的分析，失效機理的確定及前文提到的失效定位都要用到顯微分析技術(shù)。顯微分析一般采用各種顯微鏡，且他們各具優(yōu)缺點，如景深大成像立體感強的體視顯微鏡；平面成像效果好顏色突出的金相顯微鏡；放大倍數(shù)高（可達幾十萬倍）的SEM；制樣要求高可觀察到晶格結(jié)構(gòu)的TEM；成像精度不高但操作方便的紅外顯微鏡；成像精度較高的光輻射顯微鏡等，要根據(jù)實際情況進行設(shè)備和方法的選擇。

4、應(yīng)力驗證技術(shù)

電子元器件在不同的環(huán)境中可靠性存在差異，如不同濕度、溫度下產(chǎn)生的應(yīng)力，不同電流、電壓下產(chǎn)生的電應(yīng)力等，都會導(dǎo)致電子元器件性能的變化，或失效。因此，可以模擬各種環(huán)境參數(shù)，來驗證元器件在各種應(yīng)力下的可靠性。

5、電子分析技術(shù)

利用電子進行失效分析的方法很多，如EBT，EPMA，SEM，TEM，AES等。

6、成份分析技術(shù)

需要確定元器件中某部分的成份和組份即需要用到成份分析技術(shù)，以判斷是否存在污染，或組份是否正確，而影響了元器件的性能。常用設(shè)備有EDS，EDAX，AES，SIMS等。

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