常見(jiàn)元器件失效原因與故障檢測(cè)方法分析

日期:2022-07-28 16:00:00 瀏覽量:1593 標(biāo)簽: 元器件檢測(cè) 失效分析

電子元器件在使用過(guò)程中,常常會(huì)出現(xiàn)失效。失效就意味著電路可能出現(xiàn)故障,從而影響設(shè)備的正常工作。這里分析了常見(jiàn)元器件的失效原因和常見(jiàn)故障。電子設(shè)備中大部分故障,究其最終原因都是由于電子元器件失效引起的。如果熟悉了元器件的失效原因,及時(shí)定位到元器件的故障原因,就能及時(shí)排除故障,讓設(shè)備正常運(yùn)行。

常見(jiàn)元器件失效原因與故障檢測(cè)方法分析

溫度導(dǎo)致失效:元件失效的重要因素之一就是環(huán)境溫度對(duì)元器件的影響。

溫度變化對(duì)半導(dǎo)體器件的影響:

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大,所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件(TTL、HTL等集成電路)的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的關(guān)系。當(dāng)溫度升高時(shí),P-N結(jié)的正向壓降減小,其開(kāi)門(mén)和關(guān)門(mén)電平都將減小,這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變小;高電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而增大,造成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào),甚至熱擊穿。

構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對(duì)溫度的變化很敏感,當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響,其關(guān)系為:

式中:

公式

ICQ:溫度T0C時(shí)的反向漏電流

ICQR:溫度TR℃時(shí)的反向漏電流

T-TR:溫度變化的絕對(duì)值

由上式可以看出,溫度每升高10℃,ICQ將增加一倍。這將造成晶體管放大器的工作點(diǎn)發(fā)生漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)生變化、特性曲線(xiàn)發(fā)生變化,動(dòng)態(tài)范圍變小。

溫度與允許功耗的關(guān)系如下:

式中:

公式

PCM:最大允許功耗

Ta:使用環(huán)境溫度

Tj:晶體管的結(jié)溫度

Rja:結(jié)與環(huán)境之間的熱阻

由上式可以看出,溫度的升高將使晶體管的最大允許功耗下降。

溫度變化對(duì)電阻的影響:

對(duì)于電阻溫度變化的影響主要是在溫度升高的時(shí)候。溫度升高會(huì)引起例如,電阻的熱噪聲增加,阻值偏離標(biāo)稱(chēng)值,允許耗散概率下降等。打比方說(shuō),RXT系列的碳膜電阻在溫度升高到100℃時(shí),允許的耗散概率僅為標(biāo)稱(chēng)值的20%。

電阻的這一特性并不是只有壞處,比如,經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)的電阻:PTC(正溫度系數(shù)熱敏電阻)和NTC(負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻),它們的阻值受溫度的影響很大,可以作為傳感器。對(duì)于PTC,當(dāng)其溫度升高到某一閾值時(shí),其電阻值會(huì)急劇增大。利用這一特性,可將其用在電路板的過(guò)流保護(hù)電路中,當(dāng)由于某種故障造成通過(guò)它的電流增加到其閾值電流后,PTC的溫度急劇升高,同時(shí),其電阻值變大,限制通過(guò)它的電流,達(dá)到對(duì)電路的保護(hù)。而故障排除后,通過(guò)它的電流減小,PTC的溫度恢復(fù)正常,同時(shí),其電阻值也恢復(fù)到其正常值。對(duì)于NTC,它的特點(diǎn)是其電阻值隨溫度的升高而減小。

溫度變化對(duì)電容的影響:

溫度變化將引起電容的到介質(zhì)損耗變化,從而影響其使用壽命。溫度每升高10℃時(shí),電容器的壽命就降低50%,同時(shí)還引起阻容時(shí)間常數(shù)變化,甚至發(fā)生因介質(zhì)損耗過(guò)大而熱擊穿的情況。

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濕度導(dǎo)致失效:元件失效的重要因素之一就是環(huán)境濕度對(duì)元器件的影響。

濕度過(guò)高,當(dāng)含有酸堿性的灰塵落到電路板上時(shí),將腐蝕元器件的焊點(diǎn)與接線(xiàn)處,造成焊點(diǎn)脫落,接頭斷裂。濕度過(guò)高也是引起漏電耦合的主要原因。而濕度過(guò)低又容易產(chǎn)生靜電,所以環(huán)境的濕度應(yīng)控制在合理的水平。

過(guò)高電壓導(dǎo)致失效:元件失效的重要因素之一就是過(guò)高電壓對(duì)元器件的影響。

保證元器件正常工作的重要條件是施加在元器件上的電壓要保證穩(wěn)定性。過(guò)高的電壓輕則會(huì)造成元器件的熱損耗增加,重則會(huì)造成元器件的電擊穿。就拿電容器來(lái)說(shuō),其失效率正比于施加在電容兩端電壓的5次冪。對(duì)于集成電路來(lái)說(shuō),超過(guò)其最大允許電壓值的電壓將造成器件的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器件都有能承受的最高耐壓值,超過(guò)該允許值,器件存在失效風(fēng)險(xiǎn)。主動(dòng)元件和被動(dòng)元件失效的表現(xiàn)形式稍有差別,但也都有電壓允許上限。晶體管元件都有耐壓值,超過(guò)耐壓值會(huì)對(duì)元件有損傷,比如超過(guò)二極管、電容等,電壓超過(guò)元件的耐壓值會(huì)導(dǎo)致它們擊穿,如果能量很大會(huì)導(dǎo)致熱擊穿,元件會(huì)報(bào)廢。

振動(dòng)、沖擊導(dǎo)致失效:元件失效的重要因素之一就是振動(dòng)、沖擊對(duì)元器件的影響。

機(jī)械振動(dòng)與沖擊會(huì)使一些內(nèi)部有缺陷的元件加速失效,造成災(zāi)難性故障,機(jī)械振動(dòng)還會(huì)使焊點(diǎn)、壓線(xiàn)點(diǎn)發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致接觸不良;若振動(dòng)導(dǎo)致導(dǎo)線(xiàn)不應(yīng)有的接觸,會(huì)產(chǎn)生一些意象不到的后果。

可能引起的故障模式,及失效分析:

公式

電阻失效分析:

電阻器電位器失效機(jī)理視類(lèi)型不同而不同。非線(xiàn)形電阻器和電位器主要失效模式為開(kāi)路、阻值漂移、引線(xiàn)機(jī)械損傷和接觸損壞;線(xiàn)繞電阻器和電位器主要失效模式為開(kāi)路、引線(xiàn)機(jī)械損傷和接觸損壞。主要有以下四類(lèi):

●碳膜電阻器。引線(xiàn)斷裂、基體缺陷、膜層均勻性差、膜層刻槽缺陷、膜材料與引線(xiàn)端接觸不良、膜與基體污染等。

●金屬膜電阻器。電阻膜不均勻、電阻膜破裂、引線(xiàn)不牢、電阻膜分解、銀遷移、電阻膜氧化物還原、靜電荷作用、引線(xiàn)斷裂、電暈放電等。

●線(xiàn)繞電阻器。接觸不良、電流腐蝕、引線(xiàn)不牢、線(xiàn)材絕緣不好、焊點(diǎn)熔解等。

●可變電阻器。接觸不良、焊接不良、接觸**破裂或引線(xiàn)脫落、雜質(zhì)污染、環(huán)氧膠不好、軸傾斜等。

電阻容易產(chǎn)生變質(zhì)和開(kāi)路故障。電阻變質(zhì)后往往是阻值變大的漂移。電阻一般不進(jìn)行修理,而直接更換新電阻。線(xiàn)繞電阻當(dāng)電阻絲燒斷時(shí),某些情況下可將燒斷處理重新焊接后使用。

電阻變質(zhì)多是由于散熱不良,過(guò)分潮濕或制造時(shí)產(chǎn)生缺陷等原因造成的,而燒壞則是因電路不正常,如短路、過(guò)載等原因所引起。電阻燒壞常見(jiàn)有兩種現(xiàn)象,一種是電流過(guò)大使電阻發(fā)熱引起電阻燒壞,此時(shí)電阻表面可見(jiàn)焦糊狀,很易發(fā)現(xiàn)。另一種情況是由于瞬間高壓加到電阻上引起電阻開(kāi)路或阻值變大,這種情況,電阻表面一般沒(méi)有明顯改變,在高壓電路經(jīng)常可發(fā)現(xiàn)這種故障現(xiàn)象的電阻。

可變電阻器或電位器主要有線(xiàn)繞和非線(xiàn)繞兩種。它們共同的失效模式有:參數(shù)漂移、開(kāi)路、短路、接觸不良、動(dòng)噪聲大,機(jī)械損傷等。但是實(shí)際數(shù)據(jù)表明:實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)與現(xiàn)場(chǎng)使用之間主要的失效模式差異較大,實(shí)驗(yàn)室故障以參數(shù)漂移居多,而現(xiàn)場(chǎng)以接觸不良、開(kāi)路居多。

電位器接觸不良的故障,在現(xiàn)場(chǎng)使用中普遍存在。如在電信設(shè)備中達(dá)9 0 % ,在電視機(jī)中約占8 7 %,故接觸不良對(duì)電位器是致命的薄弱環(huán)節(jié)。造成接觸不良的主要原因如下:

●接觸壓力太小、**應(yīng)力松弛、滑動(dòng)接點(diǎn)偏離軌道或?qū)щ妼印C(jī)械裝配不當(dāng),又或很大的機(jī)械負(fù)荷(如碰撞、跌落等)導(dǎo)致接觸**變形等。

●導(dǎo)電層或接觸軌道因氧化、污染,而在接觸處形成各種不導(dǎo)電的膜層。

●導(dǎo)電層或電阻合金線(xiàn)磨損或燒毀,致使滑動(dòng)點(diǎn)接觸不良。

電位器開(kāi)路失效主要是由局部過(guò)熱或機(jī)械損傷造成的。例如,電位器的導(dǎo)電層或電阻合金線(xiàn)氧化、腐蝕、污染或者由于工藝不當(dāng)(如繞線(xiàn)不均勻,導(dǎo)電膜層厚薄不均勻等)所引起的過(guò)負(fù)荷,產(chǎn)生局部過(guò)熱,使電位器燒壞而開(kāi)路;滑動(dòng)觸點(diǎn)表面不光滑,接觸壓力又過(guò)大,將使繞線(xiàn)嚴(yán)重磨損而斷開(kāi),導(dǎo)致開(kāi)路;電位器選擇與使用不當(dāng),或電子設(shè)備的故障危及電位器,使其處于過(guò)負(fù)荷或在較大的負(fù)荷下工作。這些都將加速電位器的損傷。

電容失效分析:

電容器常見(jiàn)的故障現(xiàn)象主要有擊穿、開(kāi)路、電參數(shù)退化、電解液泄漏及機(jī)械損壞等。導(dǎo)致這些故障的主要原因如下:

●擊穿。介質(zhì)中存在疵點(diǎn)、缺陷、雜質(zhì)或?qū)щ婋x子;介質(zhì)材料的老化;電介質(zhì)的電化學(xué)擊穿;在高濕度或低氣壓環(huán)境下極間邊緣飛弧;在機(jī)械應(yīng)力作用下電介質(zhì)瞬時(shí)短路;金屬離子遷移形成導(dǎo)電溝道或邊緣飛弧放電;介質(zhì)材料內(nèi)部氣隙擊穿造成介質(zhì)電擊穿;介質(zhì)在制造過(guò)程中機(jī)械損傷;介質(zhì)材料分子結(jié)構(gòu)的改變以及外加電壓高于額定值等。

●開(kāi)路。擊穿引起電極和引線(xiàn)絕緣;電解電容器陽(yáng)極引出箔被腐蝕斷(或機(jī)械折斷);引出線(xiàn)與電極接觸點(diǎn)氧化層而造成低電平開(kāi)路;引出線(xiàn)與電極接觸不良或絕緣;電解電容器陽(yáng)極引出金屬箔因腐蝕而導(dǎo)致開(kāi)路;工作電解質(zhì)的干涸或凍結(jié);在機(jī)械應(yīng)力作用下電解質(zhì)和電介質(zhì)之間的瞬時(shí)開(kāi)路等。

●電參數(shù)退化。潮濕與電介質(zhì)老化與熱分解;電極材料的金屬離子遷移;殘余應(yīng)力存在和變化;表面污染;材料的金屬化電極的自愈效應(yīng);工作電解質(zhì)的揮發(fā)和變稠;電極的電解腐蝕或化學(xué)腐蝕;引線(xiàn)和電極接觸電阻增加;雜質(zhì)和有害離子的影響。

由于實(shí)際電容器是在工作應(yīng)力和環(huán)境應(yīng)力的綜合作用下工作的,因而會(huì)產(chǎn)生一種或幾種失效模式和失效機(jī)理,還會(huì)有一種失效模式導(dǎo)致另外失效模式或失效機(jī)理的發(fā)生。例如,溫度應(yīng)力既可以促使表面氧化、加快老化的影響程度、加速電參數(shù)退化,又會(huì)促使電場(chǎng)強(qiáng)度下降,加速介質(zhì)擊穿的早日到來(lái),而且這些應(yīng)力的影響程度還是時(shí)間的函數(shù)。因此,電容器的失效機(jī)理與產(chǎn)品的類(lèi)型、材料的種類(lèi)、結(jié)構(gòu)的差異、制造工藝及環(huán)境條件、工作應(yīng)力等諸因素等有密切關(guān)系。

電容器出現(xiàn)擊穿故障非常容易發(fā)現(xiàn),但對(duì)于有多個(gè)元件并聯(lián)的情況,要確定具體的故障元件卻較為困難。電容器開(kāi)路故障的確定可通過(guò)將相同型號(hào)和容量的電容與被檢測(cè)電容并聯(lián),觀察電路功能是否恢復(fù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。電容電參數(shù)變化的檢查較為麻煩,一般可按照下面方法進(jìn)行。

首先應(yīng)將電容器的其中一條引線(xiàn)從電路板上燙下來(lái),以避免周?chē)挠绊憽F浯胃鶕?jù)電容器的不同情況用不同的方法進(jìn)行檢查。

●電解電容器的檢查。將萬(wàn)用表置于電阻擋,量程視被測(cè)電解電容的容量及耐壓大小而定。測(cè)量容量小、耐壓高的電解電容,量程應(yīng)位于R ×10kW 擋;測(cè)量容量大、耐壓低的電解電容,量程應(yīng)位于R × 1 k W 擋。觀察充電電流的大小、放電時(shí)間長(zhǎng)短(表針退回的速度)及表針最后指示的阻值。

電解電容器質(zhì)量好壞的鑒別方法如下:

充電電流大,表針上升速度快,放電時(shí)間長(zhǎng),表針的退回速度慢,說(shuō)明容量足。

充電電流小,表針上升速度慢,放電時(shí)間短,表針的退回速度快,說(shuō)明容量小、質(zhì)量差。

充電電流為零,表針不動(dòng),說(shuō)明電解電容器已經(jīng)失效。

放電到最后,表針退回到終了時(shí)指示的阻值大,說(shuō)明絕緣性能好,漏電小。

放電到最后,表針退回到終了時(shí)指示的阻值小,說(shuō)明絕緣性能差,漏電嚴(yán)重。

●容量為1mF 以上的一般電容器檢查??捎萌f(wàn)用表電阻擋(R × 1 0 k W)同極性多次測(cè)量法來(lái)檢查漏電程度及是否擊穿。將萬(wàn)用表的兩根表筆與被測(cè)電容的兩根引線(xiàn)碰一下,觀察表針是否有輕微的擺動(dòng)。對(duì)容量大的電容,表針擺動(dòng)明顯;對(duì)容量小的電容,表針擺動(dòng)不明顯。緊接著用表筆再次、三次、四次碰電容器的引線(xiàn)(表筆不對(duì)調(diào)),每碰一次都要觀察針是否有輕微的擺動(dòng)。如從第二次起每碰一次表針都擺動(dòng)一下,則說(shuō)明此電容器有漏電。如接連幾次碰時(shí)表針均不動(dòng),則說(shuō)明電容器是好的。如果第一次相碰時(shí)表針就擺到終點(diǎn),則說(shuō)明電容器已經(jīng)被擊穿。另外,對(duì)于容量為1mF~20mF的電容器,有的數(shù)字萬(wàn)用表可以測(cè)量。

●容量為1 mF 以下的電容器檢查??梢允褂脭?shù)字萬(wàn)用表的電容測(cè)量擋較為準(zhǔn)確地測(cè)得電容器的實(shí)際數(shù)值。若沒(méi)有帶電容測(cè)量功能的數(shù)字萬(wàn)用表,只能用歐姆擋檢查它是否擊穿短路。用好的相同容量的電容器與被懷疑的電容器并聯(lián),檢查它是否開(kāi)路。

●電容器參數(shù)的精確測(cè)量。單個(gè)電容器容量的精確測(cè)量可使用LCR 電橋,耐壓值的測(cè)量可采用晶體管特性測(cè)試儀。

電感和變壓器類(lèi)失效分析:

此類(lèi)元件包括電感、變壓器、振蕩線(xiàn)圈、濾波線(xiàn)圈等。其故障多由于外界原因所引起的,例如,當(dāng)負(fù)載短路時(shí),由于流過(guò)線(xiàn)圈的電流超過(guò)額定值,變壓器溫度升高,造成線(xiàn)圈短路、斷路或絕緣擊穿。當(dāng)通風(fēng)不良、溫度過(guò)高或受潮時(shí),亦會(huì)產(chǎn)生漏電或絕緣擊穿的現(xiàn)象。

對(duì)于變壓器的故障現(xiàn)象及原因,常見(jiàn)的有以下幾種:當(dāng)變壓器接通電源后,若鐵心發(fā)出嗡嗡的響聲,則故障原因可能是鐵心未夾緊或變壓器負(fù)載過(guò)重;發(fā)熱高、冒煙、有焦味或保險(xiǎn)絲燒斷,則可能是線(xiàn)圈短路或負(fù)載過(guò)重。

電感和變壓器類(lèi)元件的故障檢查一般采用如下方法:

●直流電阻測(cè)量法。用萬(wàn)用表的電阻擋測(cè)電感類(lèi)的元件的好壞。測(cè)天線(xiàn)線(xiàn)圈、振蕩線(xiàn)圈時(shí),量程應(yīng)置于最小電阻擋(如R × 1 W 擋);測(cè)中周及輸出輸入變壓器時(shí),量程應(yīng)放在低阻擋(R × 10W或R × 1 0 0 W 擋),測(cè)得的阻值與維修資料或日常積累的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)相對(duì)照,如果很接近則表示被測(cè)元件是正常的;如果阻值比經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)小許多,表明線(xiàn)圈有局部短路;如果表針指示值為零,則說(shuō)明線(xiàn)圈短路。應(yīng)該注意的是,振蕩線(xiàn)圈、天線(xiàn)線(xiàn)圈及中周的次級(jí)電阻很小,只有零點(diǎn)幾歐姆,讀數(shù)時(shí)尤其要仔細(xì),不要誤判斷為短路。用高阻擋(R ×10kW)測(cè)量初級(jí)線(xiàn)圈與次級(jí)線(xiàn)圈之間的電阻時(shí),應(yīng)該是無(wú)窮大。如果初級(jí)、次級(jí)之間有一定的電阻值,則表示初級(jí)、次級(jí)之間有漏電。

●通電檢查法。對(duì)電源變壓器可以通過(guò)通電檢查,看次級(jí)電壓是否下降,如果次級(jí)電壓則懷疑次級(jí)(或初級(jí))有局部短路。當(dāng)通電后出現(xiàn)變壓器迅速發(fā)燙或有燒焦味、冒煙等現(xiàn)象,則可判斷變壓器肯定有局部短路。

●儀器檢查法??梢允褂酶哳l率Q 表來(lái)測(cè)量電感量及其Q 值,也可以用電感短路儀來(lái)判斷低頻率線(xiàn)圈的局部短路現(xiàn)象。用兆歐表則可以測(cè)量電源變壓器初、次級(jí)之間的絕緣電阻。若發(fā)現(xiàn)變壓器有漏電現(xiàn)象則可能是絕緣不良或受潮所引起的,此時(shí)可將變壓器拆下來(lái)去潮烘干。另外,調(diào)壓變壓器的各種碳刷或銅刷,在維護(hù)和所用不當(dāng)?shù)那闆r下極容易磨損,其碎片和積炭往往因短路部分的線(xiàn)圈燒毀而燒毀變壓器,因此平時(shí)要注意維護(hù)。

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可靠性測(cè)試:常規(guī)的可靠性項(xiàng)目及類(lèi)型介紹

可靠性試驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行可靠性調(diào)查、分析和評(píng)價(jià)的一種手段。試驗(yàn)結(jié)果為故障分析、研究采取的糾正措施、判斷產(chǎn)品是否達(dá)到指標(biāo)要求提供依據(jù)。根據(jù)可靠性統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)所采用的方法和目的,可靠性統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)可以分為可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)和可靠性測(cè)定試驗(yàn)。可靠性測(cè)定試驗(yàn)是為測(cè)定可靠性特性或其量值而做的試驗(yàn),通常用來(lái)提供可靠性數(shù)據(jù)??煽啃则?yàn)證試驗(yàn)是用來(lái)驗(yàn)證設(shè)備的可靠性特征值是否符合其規(guī)定的可靠性要求的試驗(yàn),一般將可靠性鑒定和驗(yàn)收試驗(yàn)統(tǒng)稱(chēng)為可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)。

2021-04-26 16:17:00
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產(chǎn)品進(jìn)行可靠性測(cè)試的重要性及目的

產(chǎn)品在一定時(shí)間或條件下無(wú)故障地執(zhí)行指定功能的能力或可能性??赏ㄟ^(guò)可靠度、失效率還有平均無(wú)故障間隔等來(lái)評(píng)價(jià)產(chǎn)品的可靠性。而且這是一項(xiàng)重要的質(zhì)量指標(biāo),只是定性描述就顯得不夠,必須使之?dāng)?shù)量化,這樣才能進(jìn)行精確的描述和比較。

2021-04-26 16:19:00
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匯總:半導(dǎo)體失效分析測(cè)試的詳細(xì)步驟

失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見(jiàn)的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開(kāi)放的資源,來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下:

2021-04-26 16:29:00
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芯片常用失效分析手段和流程

一般來(lái)說(shuō),集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過(guò)程中失效不可避免,隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來(lái)越重要,通過(guò)芯片失效分析,可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐?wèn)題。芯片失效分析的常用方法不外乎那幾個(gè)流程,最重要的還是要借助于各種先進(jìn)精確的電子儀器。以下內(nèi)容主要從這兩個(gè)方面闡述,希望對(duì)大家有所幫助。

2021-04-26 16:41:00
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值得借鑒!PCB板可靠性測(cè)試方法分享

PCB電路板是電子元件的基礎(chǔ)和高速公路,又稱(chēng)印刷電路板,是電子元器件電氣連接的提供者。它的發(fā)展已有100多年的歷史了;它的設(shè)計(jì)主要是版圖設(shè)計(jì);采用電路板的主要優(yōu)點(diǎn)是大大減少布線(xiàn)和裝配的差錯(cuò),提高了自動(dòng)化水平和生產(chǎn)勞動(dòng)率。PCB的質(zhì)量非常關(guān)鍵,要檢查PCB的質(zhì)量,必須進(jìn)行多項(xiàng)可靠性測(cè)試。這篇文章就是對(duì)測(cè)試的介紹,一起來(lái)看看吧。

2021-04-26 16:47:42
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