近日，華為傳來好消息，經(jīng)過技術(shù)人員的不懈努力，華為在芯片檢測(cè)技術(shù)上取得進(jìn)展，并公開了“一種檢測(cè)芯片裂縫的裝置”專利，公開號(hào)為 CN113748495A。
據(jù)介紹，該裝置包括：功能電路 (110) 以及位于功能電路 (110) 周圍的裂片檢測(cè)模塊 (120)。其中，裂片檢測(cè)模塊 (120) 包括前道器件層 (121) 和設(shè)置在前道器件層 (121) 上的層狀結(jié)構(gòu) (122)，層狀結(jié)構(gòu) (122) 中形成有導(dǎo)線 (L)，前道器件層 (121) 中形成有一個(gè)或多個(gè)第一電容 (C1)。導(dǎo)線 (L) 的第一端用于連接電源正極，導(dǎo)線 (L) 的第二端用于連接電源負(fù)極，第一電容 (C1) 并聯(lián)在導(dǎo)線 (L) 的第一端與導(dǎo)線 (L) 的第二端之間，導(dǎo)線 (L) 的第一端與第二端之間設(shè)置有檢測(cè)接口，檢測(cè)接口用于檢測(cè)該芯片是否發(fā)生裂片。
據(jù)最新消息顯示，華為近期還公開了兩項(xiàng)芯片方面的專利，分別是9月28日的“封裝芯片及封裝芯片的制作方法”以及11月26日的“芯片封裝組件，電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法?！?/p>
根據(jù)專利草圖顯示，華為通過設(shè)置芯片與封裝基板的上導(dǎo)電層以及下導(dǎo)電層連接，從而芯片產(chǎn)生的熱量可進(jìn)行雙向傳導(dǎo)散熱，并在上導(dǎo)電層上設(shè)置散熱部，使得芯片封裝組件能夠達(dá)到更優(yōu)的散熱效果。 之前有爆料過3D封裝、異構(gòu)等模式，都是在這個(gè)封裝工藝范圍之內(nèi)。雖然現(xiàn)在還無法確定能否真的實(shí)現(xiàn)，但至少華為正在這個(gè)方向上做努力。
不得不說，這兩個(gè)芯片專利都和芯片制造領(lǐng)域中的封裝技術(shù)相關(guān)聯(lián)，這也意味著華為在芯片制造技術(shù)領(lǐng)域正在不斷地加速研發(fā)投入，畢竟整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈中，包含了芯片設(shè)計(jì)、芯片制造以及封裝，可以說技術(shù)學(xué)問是非常的多，根據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，這次華為對(duì)外公開的芯片技術(shù)專利，和此前曝光的“華為雙芯疊加”相關(guān)，包含了3D封裝、異構(gòu)等等都在這個(gè)專利范圍之內(nèi)。
