「檢測知識」實(shí)驗(yàn)室常用芯片失效分析的方法及手段
日期:2021-10-13 18:27:25 瀏覽量:2575 標(biāo)簽: 芯片失效分析
一般來說,芯片在研發(fā)、生產(chǎn)過程中出現(xiàn)錯(cuò)誤是不可避免的,就如房缺補(bǔ)漏一樣,哪里出了問題你僅要解決問題,還要思考為什么會出現(xiàn)問題。隨著人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也顯得越來越重要,社會的發(fā)展就是一個(gè)發(fā)現(xiàn)問題解決問題的過程,出現(xiàn)問題不可怕,但頻繁出現(xiàn)同一類問題是非??膳碌?。本文主要探討的就是如何進(jìn)行有效的芯片失效分析的解決方案以及常見的分析手段。
失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動。失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì),使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。 失效分析可以評估不同測試向量的有效性,為生產(chǎn)測試提供必要的補(bǔ)充,為驗(yàn)證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。
常用芯片失效分析方法
一:X-RAY檢查
1,X-RAY含義:
X-RAY射線又稱倫琴射線,一種波長很短的電磁輻射,由德國物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時(shí)放出的短波輻射,能透過許多普通光不能透過的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀,可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹脂體內(nèi)氣孔情況,以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡,導(dǎo)電膠的分布范圍情況。
2,X-RAY檢查原則
不良情況 原因或責(zé)任者
球脫 組裝
點(diǎn)脫 如大量點(diǎn)脫是同一只腳,則為組裝不良。如點(diǎn)脫金絲形狀較規(guī)則,則為組裝或包封之前L/F變形,運(yùn)轉(zhuǎn)過程中震動,上料框架牽拉過大,L/F打在予熱臺上動作大,兩道工序都要檢查。如點(diǎn)脫金絲弧度和旁邊的金絲弧度差不多,則為組裝造成。
整體沖歪,亂,斷 為包封不良,原因?yàn)榇的2槐M,料餅沾有生粉,予熱不當(dāng)或不均勻,工藝參數(shù)不當(dāng),洗模異常從而導(dǎo)致模塑料在型腔中流動異常。
個(gè)別金絲斷 組裝擦斷或產(chǎn)品使用時(shí)金絲熔斷。
只有局部沖歪 多數(shù)為包封定位時(shí)動作過大,牽拉上料框架時(shí)造成,也有部份為內(nèi)部氣泡造成。
金絲相碰 弧度正常,小于正常沖歪率時(shí),為裝片或焊點(diǎn)位置欠妥
內(nèi)焊腳偏移 多數(shù)為組裝碰到內(nèi)引腳。
塌絲 多數(shù)為排片時(shí)碰到。
導(dǎo)電膠分布情況 應(yīng)比芯片面積稍大,且呈基本對稱情形。
二:超聲清洗
1,清洗僅用來分析電性能有異常的,失效可能與外殼或芯片表面污染有關(guān)的器件。此時(shí)應(yīng)確認(rèn)封裝無泄漏,目的是清除外殼上的污染物。清洗前應(yīng)去除表面上任何雜物,再重測電參數(shù),如仍失效再進(jìn)行清洗,清洗后現(xiàn)測電參數(shù),對比清洗前后的電參數(shù)變化。清洗劑應(yīng)選用不損壞外殼的,通常使用丙酮,乙醇,甲苯,清洗后再使用純水清洗,最后用丙酮,無水乙醇等脫水,再烘干。清洗要確保不會帶來由于清洗劑而引起的失效。
2,超聲檢測分析
SAT—即超聲波形顯示檢查。
超聲波,指頻率超過20KHZ的聲波(人耳聽不見,頻率低于20HZ的聲波稱為次聲波),它的典型特征:碰到氣體100%反射,在不同物質(zhì)分界面產(chǎn)生反射,和光一樣直線傳播。
SAT就是利用這些超聲波特征來對產(chǎn)品內(nèi)部進(jìn)行檢測,以確定產(chǎn)品密封性是否符合要求,產(chǎn)品是否有內(nèi)部離層。
3,超聲判別原則
芯片表面不可有離層
鍍銀腳精壓區(qū)域不可有離層
內(nèi)引腳部分離層相連的面積不可超過膠體正面面積的20%或引腳通過離層相連的腳數(shù)不可超過引腳總數(shù)的1/5
芯片四周導(dǎo)電膠造成的離層在做可靠性試驗(yàn)通過或做Bscan時(shí)未超出芯片高度的2/3應(yīng)認(rèn)為正常。
判斷超聲圖片時(shí)要以波形為準(zhǔn),要注意對顏色黑白異常區(qū)域的波形檢查
4,超聲檢查時(shí)應(yīng)注意
對焦一定要對好,可反復(fù)調(diào)整,直到掃描出來的圖像很“干脆”,不出現(xiàn)那種零零碎碎的紅點(diǎn)。
注意增益,掃描出來的圖像不能太亮,也不能太暗。
注意產(chǎn)品不能放反,產(chǎn)品表面不能有任何如印記之類造成的坑坑洼洼,或其它雜質(zhì),氣泡。
探頭有高頻和低頻之分,針對不同產(chǎn)品選用不同的探頭(由分析室工作人員調(diào)整)。通常樹脂體厚的產(chǎn)品,采用低頻探頭,否則采用高頻探頭。因頻率高穿透能力差。
三:開帽/開蓋
1,高分子的樹脂體在熱的濃硝酸(98%)或濃硫酸作用下,被腐去變成易溶于丙酮的低分子化合物,在超聲作用下,低分子化合物被清洗掉,從而露出芯片表層。
2,開帽方法:
取一塊不銹鋼板,上鋪一層薄薄的黃沙(也可不加沙產(chǎn)品直接在鋼板上加熱),放在電爐上加熱,砂溫要達(dá)100-150度,將產(chǎn)品放在砂子上,芯片正面方向向上,用吸管吸取少量的發(fā)煙硝酸(濃度>98%)。滴在產(chǎn)品表面,這時(shí)樹脂表面起化學(xué)反應(yīng),且冒出氣泡,待反應(yīng)稍止再滴,這樣連滴5-10滴后,用鑷子夾住,放入盛有丙酮的燒杯中,在超聲機(jī)中清洗2-5分鐘后,取出再滴,如此反復(fù),直到露出芯片為止,最后必須以干凈的丙酮反復(fù)清洗確保芯片表面無殘留物。
將所有產(chǎn)品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點(diǎn)是操作較危險(xiǎn)。要掌握要領(lǐng)。
3,開帽注意點(diǎn):
所有一切操作均應(yīng)在通風(fēng)柜中進(jìn)行,且要戴好防酸手套。
產(chǎn)品開帽越到最后越要少滴酸,勤清洗,以避免過腐蝕。
清洗過程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面,以免擦傷芯片和金絲。
根據(jù)產(chǎn)品或分析要求有的開帽后要露出芯片下面的導(dǎo)電膠.,或者第二點(diǎn).
另外,有的情況下要將已開帽產(chǎn)品按排重測。此時(shí)應(yīng)首先放在80倍顯微鏡下觀察芯片上金絲是否斷,塌絲,如無則用刀片刮去管腳上黑膜后送測。
注意控制開帽溫度不要太高。
4,分析中常用酸:
濃硫酸。這里指98%的濃硫酸,它有強(qiáng)烈的脫水性,吸水性和氧化性。開帽時(shí)用來一次性煮大量的產(chǎn)品,這里利用了它的脫水性和強(qiáng)氧化性。
濃鹽酸。指37%(V/V)的鹽酸,有強(qiáng)烈的揮發(fā)性,氧化性。分析中用來去除芯片上的鋁層。
發(fā)煙硝酸,指濃度為98%(V/V)的硝酸。用來開帽。有強(qiáng)烈的揮發(fā)性,氧化性,因溶有NO2而呈紅褐色。
王水,指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來腐金球,因它腐蝕性很強(qiáng)可腐蝕金。
四:內(nèi)部目檢:
1,視產(chǎn)品不同分別放在200倍或500倍金相顯微鏡下或立體顯微下仔細(xì)觀察芯片表面是否有裂縫,斷鋁,擦傷,燒傷,沾污等異常。對于芯片裂縫要從反面開帽以觀察芯片反面有否裝片時(shí)頂針頂壞點(diǎn),因?yàn)檎骈_帽取下芯片時(shí)易使芯片破裂。反面的導(dǎo)電膠可用硝酸慢慢腐,再用較軟的細(xì)銅絲輕輕刮去。
2,腐球分析
將已開帽的產(chǎn)品放在加熱到沸騰的10%—20%的KOH(或NaOH)溶液中或加熱到沸騰的王水(即3:1的濃鹽酸和濃硝酸混合溶液)中。浸泡約3到5分鐘(個(gè)別產(chǎn)品浸泡時(shí)間要求較長,達(dá)10分鐘以上)。在100到200倍顯微鏡下用細(xì)針頭輕輕將金絲從芯片上移開(注意勿碰到芯片),如發(fā)現(xiàn)金球仍牢牢地粘在芯片上,則說明還需再腐球,千萬不要硬拉金絲,以免造成人為的凹坑,造成誤判。
3,分析過程中要檢查的內(nèi)容
五:外部目檢
1,內(nèi)容:是否有樹脂體裂縫,管腳間雜物致短路,管腳是否被拉出樹脂體,管腳根部是否露銅,管腳和樹脂體是否被沾污,管腳是否彎曲變形等不良。
X-RAY 是否有球脫、點(diǎn)脫、整體沖歪,金絲亂,斷、局部沖歪、塌絲、金絲相碰、焊腳偏移、膠體空洞、焊料空洞,焊料覆蓋面積,管腳間是否有雜物導(dǎo)致管腳短路等異常。
超聲檢測。是否有芯片表面、焊線第二點(diǎn)、膠體與引線框之間等的內(nèi)部離層。
2,開帽后的內(nèi)部目檢。
(1)用30-50倍立體顯微鏡檢查:鍵合線過長而下塌碰壞芯片;鍵合線尾部過長而引起短路;鍵合線頸部損傷或引線斷裂;鍵合點(diǎn)或鍵合線被腐蝕;鍵合點(diǎn)盡寸或位置不當(dāng);芯片粘接材料用量不當(dāng)或裂縫;芯片抬起,芯片取向不當(dāng),芯片裂縫;多余的鍵合線頭或外來顆粒等。
(2)金屬化,薄膜電阻器缺陷在50-200倍顯微鏡下檢查,主要有腐蝕,燒毀,嚴(yán)重的機(jī)械損傷;光刻缺陷,電遷移現(xiàn)象,金屬化層過薄,臺階斷鋁,表面粗糙發(fā)黑,外來物沾污等。
(3)金屬化覆蓋接觸孔不全,氧化層/鈍化層缺陷出現(xiàn)在金屬化條下面或有源區(qū)內(nèi),鈍化層裂紋或劃傷。
腐球分析。主要目的是檢查球焊時(shí)采用的工藝是否對壓焊區(qū)造成不良影響如彈坑即壓區(qū)破裂。此時(shí)對其它部位可檢查可忽略。
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