芯片失效分析測試項目及意義說明
日期：2021-09-17 17:47:20 瀏覽量：1856 標(biāo)簽: 失效分析
隨著科技進(jìn)步，智能化產(chǎn)品與日俱增。從電腦、智能手機(jī)，再到汽車電子、人工智能，如今在我們的生產(chǎn)生活中已隨處可見。它們之所以能夠得以發(fā)展，驅(qū)動內(nèi)部收發(fā)信號的半導(dǎo)體芯片是關(guān)鍵。由于對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計人員找到設(shè)計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計與操作中的不當(dāng)?shù)葐栴}。接下來看看芯片IC失效分析測試。
IC集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，IC失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說，以下幾個方面：
1. 失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。
2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。
3. 失效分析為設(shè)計工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計，使之與設(shè)計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
4. 失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補(bǔ)充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。
_20210917174445_702.jpg)
失效分析主要步驟和內(nèi)容
IC開封：去除IC封膠，同時保持芯片功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備。
SEM 掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測量元器件尺寸等等。
探針測試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。
EMMI偵測：EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯析工具，提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式，可偵測和定位非常微弱的發(fā)光（可見光及近紅外光），由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見光。
OBIRCH應(yīng)用（鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試）：OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等，也能有效的檢測短路或漏電是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。
LG液晶熱點偵測：利用液晶感測到IC漏電處分子排列重組，在顯微鏡下呈現(xiàn)出不同于其它區(qū)域的斑狀影像，找尋在實際分析中困擾設(shè)計人員的漏電區(qū)域（超過10mA之故障點）。
定點/非定點芯片研磨：移除植于液晶驅(qū)動芯片 Pad上的金凸塊， 保持Pad完好無損，以利后續(xù)分析或rebonding。
X-Ray 無損偵測：檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。
SAM (SAT)超聲波探傷可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如：1、晶元面脫層2、錫球、晶元或填膠中的裂縫3、封裝材料內(nèi)部的氣孔4、各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞。
本篇文章就介紹到這了，針對現(xiàn)代電子組裝業(yè)發(fā)生的巨大變化，工藝要求更高、產(chǎn)品可靠性越來越受重視、投資規(guī)模越來越大，對于生產(chǎn)檢測設(shè)備的要求越來越高。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實際意義。
