在半導(dǎo)體行業(yè)中，芯片失效分析是一項至關(guān)重要的工作，它涉及多種精密的技術(shù)和方法，用于識別集成電路（IC）器件出現(xiàn)故障的原因，確保產(chǎn)品質(zhì)量并優(yōu)化生產(chǎn)流程。以下將詳細(xì)介紹幾種芯片失效檢測的常用方法及其具體應(yīng)用：
1. 光學(xué)顯微鏡（Optical Microscopy, OM）
顯微鏡分析是失效分析中的基礎(chǔ)步驟，通過高分辨率光學(xué)顯微鏡如蔡司等品牌設(shè)備對芯片進(jìn)行表面檢查，可以觀察到芯片外觀特征、封裝缺陷、裂紋、燒傷痕跡以及封裝內(nèi)部可能存在的污染物等。
2. X射線透視檢測（X-ray Radiography）
X-Ray技術(shù)是非破壞性檢測手段之一，能穿透封裝材料以揭示內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如焊點完整性、封裝層剝離、爆裂、空洞或內(nèi)部短路等缺陷。這對于BGA、QFN等復(fù)雜封裝形式的芯片尤其重要，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)隱藏的焊接問題或其他結(jié)構(gòu)異常。
_20240315135615_777.jpg "芯片失效檢測的常用方法及其應(yīng)用")
3. 超聲波掃描顯微鏡（C-SAM, Acoustic Microscopy）
C-SAM是一種采用高頻超聲波探測材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)的方法，適用于檢測封裝體內(nèi)部的分層、空洞、氣泡、填充不足等問題。它特別適用于評估晶圓級封裝（WLP）、覆晶封裝（FC）、塑封料下的缺陷等。
4. 電子顯微鏡分析（Scanning Electron Microscopy, SEM；Transmission Electron Microscopy, TEM）
SEM能夠提供芯片表面極其詳細(xì)的微觀形貌信息，并結(jié)合能譜分析（EDS）確定元素分布，有助于識別表面缺陷、金屬化層缺陷及氧化層破損等情況。TEM則能對薄片樣品進(jìn)行透射成像，深入分析材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體缺陷。
5. 電性能測試（Electrical Testing）
包括功能測試、參數(shù)測試和老化測試等多種方式。功能測試驗證芯片是否按照設(shè)計要求執(zhí)行邏輯操作；參數(shù)測試測量電流、電壓、頻率等電氣特性；老化測試則模擬長時間運行環(huán)境，觀測芯片性能隨時間變化的情況，找出潛在的可靠性問題。
6. 失效模式與效應(yīng)分析（Failure Mode and Effects Analysis, FMEA）
通過收集失效芯片的數(shù)據(jù)，確定失效模式，然后應(yīng)用不同手段來探尋失效機理。這包括但不限于直流電壓測試、動態(tài)信號測試、熱穩(wěn)定性測試以及可靠性實驗等。
7. 剖面分析（Decapsulation）
剖面分析是一種破壞性檢測方法，通過化學(xué)或機械方式去除芯片封裝，暴露出內(nèi)部結(jié)構(gòu)以便進(jìn)行更深入的分析。例如，利用SEM或TEM觀察硅片上的缺陷、腐蝕、金屬間化合物生長情況以及接觸不良等現(xiàn)象。
8. 無損檢測技術(shù)（Non-Destructive Testing, NDT）
此類技術(shù)還包括紅外熱成像（IR Thermography）用于檢測熱分布不均導(dǎo)致的散熱問題，以及光致發(fā)光（Photoluminescence）檢測半導(dǎo)體材料的晶格缺陷等。
總結(jié)，芯片失效分析是一個綜合性的過程，涵蓋了多個層面的檢測手段和技術(shù)。從非破壞性到破壞性的各種方法相互配合，共同服務(wù)于失效原因的定位和解決方案的提出，為提高芯片產(chǎn)品良率和可靠性提供了有力保障。
