失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機制時,通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。這也是人們認識事物本質(zhì)和發(fā)展規(guī)律的逆向思維和探索,是變失效為安全的基本環(huán)節(jié)和關(guān)鍵,是人們深化對客觀事物的認識源頭和途徑。為幫助大家深入了解,本文將對元器件失效分析檢測方法予以匯總。如果您對本文即將要涉及的內(nèi)容感興趣的話,那就繼續(xù)往下閱讀吧。
低溫測試介紹: GB/T 2423.1-2008/IEC60068-2-1:2007電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗A:低溫試驗 本標準所涉及的低溫試驗適用于非散熱和散熱里兩類試驗樣品.本標準僅限于用來考核確定電工,電子產(chǎn)品(包括元件,設(shè)備及其他產(chǎn)品)在低溫環(huán)境條件下貯存和使用的環(huán)境適應(yīng)性。
半導體器件的失效通常是因為產(chǎn)生的應(yīng)力超過了它們的最大額定值。 電氣應(yīng)力、熱應(yīng)力、化學應(yīng)力、輻射應(yīng)力、機械應(yīng)力及其他因素都會造 成器件失效。器件失效會存在于產(chǎn)品的整個生命周期,如果缺乏對各個階段失效信息及失效器件的收集,失效分析工作將失去必要的“物質(zhì)”基礎(chǔ)。因此,開展失效分析,必須首先在開發(fā)、生產(chǎn)、工程等階段建立失效信息和失效器件的收集制度。下面帶來半導體元器件失效主要五個原因匯總解析!